На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

E=mc2

234 подписчика

Новый "плоский" материал позволит "продлить жизнь" закону Гордона Мура

Плоский материал

Ни для кого не является секретом, что соблюдение закона Гордона Мура, определяющего темпы развития микропроцессорной вычислительной техники, в последнее время находится под большим вопросом в силу многих причин. Именно поэтому различные исследовательские группы производят поиски альтернативных вариантов, материалов, позволяющим электронам или другим носителями электрического заряда перемещаться из точки А в точку Б быстрее, нежели чем в кремнии. Определенных успехов в этом деле удалось добиться исследователям из университета Юты, они обнаружили новый вид плоского полупроводникового материала, состоящего из моноокиси олова, имеющего одноатомную толщину. За счет особенностей электронной и атомарной структуры этот материал позволяет электрическим зарядам проходить через себя быстрее, чем в традиционном кремнии и в других "неплоских" полупроводниковых материалах.

Следует заметить, что электрические заряды, двигающиеся внутри полупроводниковых компонентов, состоящих обычно из нескольких слоев кремния с различными свойствами, практически никогда не движутся по кратчайшему пути. Во время движения носители электрических зарядов взаимодействуют с элементами кристаллической решетки материала и друг с другом, за счет чего траектория их перемещения напоминает хаотически изломанную в трех измерениях линию. Несколько иначе ситуация обстоит в случае двухмерных материалов, графена, дисульфида молибдена, борофена и т.п. Двухмерная природа этих материалов позволяет носителям заряда двигаться только в одной плоскости и только уже за счет этого электрические заряды могут перемещаться быстрей в этих материалах.

"Найденный нами материал обладает огромным значением для дела дальнейшего ускорения и миниатюризации электроники" - рассказывает профессор Асутос Тивари (Ashutosh Tiwari), - "В отличие от графена и других плоских материалов он позволяет перемещаться через себя носителям как отрицательных, так и положительных зарядов - "электронным дыркам"". Все это позволило отнести новый материал к классу стабильных полупроводниковых материалов p-типа.

"Теперь в нашем распоряжении имеется все необходимое" - рассказывает Асутос Тивари, - "И мы надеемся, что вскоре "притормозившее" развитие цифровой электроники двинется вперед прежними темпами".

Ученые полагают, что из нового материала могут быть изготовлены транзисторы, имеющие меньшие размеры и более высокое быстродействие, чем любые другие транзисторы, используемые в современной электронике. Эти транзисторы, в свою очередь, станут основой новых микропроцессоров, в сотни раз более мощных, нежели нынешние, и которые потребляют в разы меньше энергии, экономя дефицитную энергию аккумуляторных батарей.

"Эта область исследований является очень "горячей" в нынешнее время и некоторые люди и организации уже проявили интерес к нашей разработке" - рассказывает Асутос Тивари, - "Мы ожидаем, что первые опытные образцы транзисторов на базе нового материала могут появиться в течение следующих двух-трех лет".

Ссылка на первоисточник

Картина дня

наверх